SiLM27512器件（jiàn）是单通道高速低边（biān）门极驱动器，可有（yǒu）效驱动MOSFET和IGBT等功（gōng）率开关。SiLM27512采（cǎi）用（yòng）一（yī）种能够从内部极大的降（jiàng）低（dī）直（zhí）通电流的（de）设计（jì），将（jiāng）高峰值的源电流和灌电流脉冲提供（gòng）给电容负载，以实现轨到轨（guǐ）的驱动能力和典型值仅（jǐn）为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电（diàn）情况下，能够提供（gòng）4A的峰值源电流和5A的峰值灌电流。
低成本的门极（jí）驱动方案可用（yòng）于（yú）替代 NPN和 PNP 分（fèn）离器件方案
4A 的峰值源电流和（hé）5A的峰值灌（guàn）电（diàn）流（liú）能力
快速的传（chuán）输（shū）延时（典型值为 18ns）
快速的上（shàng）升和（hé）下降时间（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭（bì）锁功能
兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输入逻（luó）辑电压（yā）阈值
双输（shū）入设（shè）计(可选（xuǎn）择反相或非反相（xiàng）驱（qū）动（dòng）配置)
输入浮空（kōng）时输出保持（chí）为低（dī）
工作温（wēn）度范围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选项
400 080 9938
