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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱（qū）动器

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SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用图

产品概述（shù）

SiLM27511H系列是单通道高（gāo）欠压保护低边门极（jí）驱动器（qì），可有效驱动MOSFET和IGBT等功（gōng）率开（kāi）关。SiLM27511H 采用（yòng）一种能够从内（nèi）部极大的降低直通（tōng）电（diàn）流的设计，将（jiāng）高峰值的源电流和灌（guàn）电流脉（mò）冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱（qū）动能力和典（diǎn）型值仅为 18ns 的极小传播延迟（chí）。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情（qíng）况下，能够提供（gòng） 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠压锁（suǒ）定保护（hù） (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成（chéng）本（běn）的门极驱动方案可（kě）用于替代 NPN和（hé） PNP 分离器件（jiàn）方（fāng）案（àn）

4A的峰值（zhí）源电流和（hé） 5A 的峰（fēng）值灌电流能力

快（kuài）速的（de）传播延（yán）时（典型值为 18ns）

快速的上升和下降时间（jiān）（典型值（zhí）为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输入设计(可选择反相（xiàng）或非反相驱动配置（zhì）)

输入浮空（kōng）时（shí）输出保持为低（dī）

工作温（wēn）度范围为 -40°C 到 140°C