SiLM2660/61是用于（yú）电池充（chōng）电/放（fàng）电系统控制的低功耗、高边（biān）N沟道FET驱动器。高边保护功能可避免系（xì）统（tǒng）的（de）接地引脚（jiǎo）断开连接，以确保电池组（zǔ）和主（zhǔ）机系统之（zhī）间的持续通信。SiLM2660具有额外的PFET控制（zhì）输出，以允许对深度放电的电（diàn）池进行低电流预充电，并且还集（jí）成了（le）用于（yú）主（zhǔ）机监控的电（diàn）池PACK+电压检测。
独立的（de）使能（néng）输入（rù）接口允许电池充电和放电（diàn）FET分别导通和关（guān）断（duàn），为电池系（xì）统保护提供可靠性（xìng）和设计灵活性。
高边NFET驱动器，具有极短的开启和关闭时（shí）间（jiān），用于（yú）迅（xùn）速（sù）保护电池。
预充电PFET驱动器为深度（dù）耗尽的（de）电（diàn）池组提供电流限制（zhì）的预（yù）充电功能(仅适用于SiLM2660)。
充电和放电的（de）独立使能控（kòng）制。
基（jī）于外部电容器（qì）可扩（kuò）展的电荷泵，可适（shì）用多颗NFET并（bìng）联驱（qū）动。
高（gāo）的输入（rù）耐压值（最大100V）。
可（kě）配置的电池（chí）组电压检（jiǎn）测功能（仅适用于（yú）SiLM2660）。
支持（chí）可配置的通用和独立充（chōng）电（diàn）和放电（diàn）路径管理。
低功耗：正（zhèng）常模式：40uA；待机模式：小于10uA。
400 080 9938
