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SiLM2004E

200V低压（yā）驱动芯片

样片申请（qǐng）

SiLM2004E Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SiLM2004E 是一款（kuǎn）高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存免（miǎn）疫（yì）的CMOS技（jì）术可（kě）提供（gòng）可靠（kào）的（de）单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入（rù）电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有（yǒu）高脉冲电（diàn）流（liú）缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高（gāo）边配置的N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操作设计的浮（fú）动（dòng）通道（dào）

完全运行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V逻辑（jí）输入兼容

驱动（dòng）电流（liú）：290 mA/600 mA

防（fáng）止交叉导通逻辑（jí）

两通（tōng）道间匹配传输延迟（chí）

通过无铅（qiān）认证

提（tí）供 SOP-8 封装选项