SiLM27519 器件是（shì）单（dān）通道高速低边门极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用一（yī）种能够（gòu）从（cóng）内部极大的（de）降（jiàng）低直（zhí）通电流的设计（jì），将高峰（fēng）值的源电流（liú）和灌电流脉冲提供给电（diàn）容负（fù）载（zǎi），以实现轨到轨（guǐ）的驱（qū）动能力和典型（xíng）值仅（jǐn）为 18ns 的（de）极（jí）小传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况（kuàng）下，能够（gòu）提供 4A 的峰（fēng）值（zhí）源电（diàn）流和 5A 的峰值（zhí）灌电流。
低（dī）成本的门极驱动方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源（yuán）电流和 5A 的（de）峰（fēng）值灌（guàn）电流能力（lì）
快速的传输延时（典型（xíng）值为 18ns）
快速的（de）上（shàng）升（shēng）和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电源范围
VDD 欠（qiàn）压闭锁功（gōng）能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑（jí）电（diàn）压阈值
双输入设计（jì）(可选择反相或非（fēi）反相（xiàng）驱动配置)
输入浮空时输出保持为低（dī）
工作温（wēn）度范围（wéi）为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封装选项
400 080 9938
