SLM27511器件是（shì）单通道高速低（dī）边门（mén）极驱动（dòng）器，可有效（xiào）驱动MOSFET和IGBT等功率开关（guān）。SLM27511采（cǎi）用一种能够从内部极（jí）大的降低直通电（diàn）流（liú）的设计，将高峰（fēng）值的源电流和灌电流脉（mò）冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能（néng）力（lì）和典型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播（bō）延迟。
SLM27511在（zài）12V的VDD供电（diàn）情况下，能够提供4A的峰值源电流和5A的峰（fēng）值灌电流（liú）。
低成本的门极驱动方案可用于替代（dài） NPN和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源（yuán）电流和5A的峰值灌电流能力
快速（sù）的（de）传输延时（shí）（典型值（zhí）为 18ns）
快速的上（shàng）升和下降（jiàng）时（shí）间（jiān）（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压（yā）闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压（yā）阈值
双输入设计（jì）(可（kě）选择反相或非反相驱动配置)
输入浮空时（shí）输出保持（chí）为低
工作温（wēn）度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装选项
400 080 9938
