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    样片申(shēn)请 | 简体中(zhōng)文
    SLM21364
    600V 200/350mA高压三相半桥驱动芯片
    样(yàng)片申(shēn)请
    SLM21364 Datasheet
    产品概述(shù)
    产品特性
    安规认证
    典型应用图
    产品概(gài)述

    SLM21364是一款高压、高(gāo)速(sù)的三相功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集(jí)成电(diàn)路和锁存(cún)免疫CMOS技(jì)术,提供可靠的单芯片(piàn)驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑(jí)。通过检测外部(bù)电(diàn)流(liú)电阻上电(diàn)流,过流保护功(gōng)能能够(gòu)关(guān)断所有输出。使能引脚能同时(shí)控制6路输(shū)出开通或关(guān)断。提供漏极开路的(de)故(gù)障信(xìn)号指示过流(liú)或者欠压关闭发(fā)生。通过连(lián)接到RCIN输入的RC网络(luò)外(wài)部编(biān)程延时后(hòu),过流(liú)故障条件自动清(qīng)除。输出驱动器具有高脉冲电流缓(huǎn)冲级(jí),以减小驱动器交叉导(dǎo)通。延时匹配很方便应用于高频设(shè)备。浮动(dòng)通(tōng)道(dào)可用于驱动高(gāo)边配置的N型沟道功率MOSFET或(huò)IGBT,工作电压可(kě)高达600V。

    产品特性(xìng)

    为自举供电(diàn)设计的浮动通道

    全电(diàn)压(yā)范围运行达600V

    允(yǔn)许瞬(shùn)态(tài)负电压,不受(shòu)dV/dt影(yǐng)响

    驱动电源范围从(cóng)10V到20V

    欠压(yā)闭锁

    高低(dī)边输(shū)入输出(chū)同相

    3.3V,5V逻辑兼容

    低di/dt门极驱动抗干扰能(néng)力强

    双通道的匹配延时

    外部可编程延时的(de)自动故障清理(lǐ)

    典(diǎn)型死区时间(jiān):290ns

    典型开通/关(guān)断延(yán)时:350ns/400ns

    典型驱动电流:200mA/350mA

    SOP28W封装

    安规认证
    典型应(yīng)用图

    21364.png

    产品参数表

    展开过滤器
    Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
    SLM21364CF-DGIGBT/ MOSFET0.2/0.3560010-20350/400100/40290100-40-125SOP28WReel/1000
    应(yīng)用案(àn)例(lì)

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