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SLM2015

160V低压驱动（dòng）芯片

样片申请

SLM2015 Datasheet

产（chǎn）品概述（shù）

产品特性（xìng）

安（ān）规（guī）认（rèn）证

典型应用图

产品概述（shù）

SLM2015 是一款高压（yā）、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器（qì）。采用专有的高压集（jí）成电路（lù）和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱（qū）动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容（róng），最低（dī）支持3.3V逻（luó）辑（jí）。输出驱动器具有高脉（mò）冲电流（liú）缓冲级，以减（jiǎn）小驱动器交（jiāo）叉导通。浮动通（tōng）道可用于驱动高边配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全运（yùn）行时电（diàn）压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电（diàn）源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输（shū）入兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间（jiān）匹配传输（shū）延迟

输出（chū）信号与（yǔ）输入信号同相

通过无铅认（rèn）证