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SLM2009

200V低压驱动芯片

样片申请（qǐng）

SLM2009 Datasheet

产（chǎn）品（pǐn）概（gài）述（shù）

产品特性

安规认证

典型应（yīng）用图

产品概述

SLM2009 是一款高压、高速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器。采用专有的高压集成电路（lù）和锁存免疫的CMOS技术可提（tí）供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流（liú）缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的（de）N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可（kě）高达200V。

产品特性

为自举操作设计的（de）浮动通道

完全（quán）运行时（shí）电压（yā）高达 200V

容（róng）许瞬间负电压（yā），不受 dV/dt 影响

驱动电源（yuán）范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交（jiāo）叉导通逻辑

两（liǎng）通道间匹配传（chuán）输延迟

输出信（xìn）号与输入信号同相

通过（guò）无铅认证