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SLM2005S

200V低（dī）压驱动芯片

样片申（shēn）请

SLM2005S Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型（xíng）应用图

产品概述（shù）

SLM2005S 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的（de）高压（yā）集（jí）成电路和（hé）锁存免疫的CMOS技术可（kě）提供可靠（kào）的单芯（xīn）片驱动（dòng）方案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼（jiān）容，最低支持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有高（gāo）脉冲（chōng）电流（liú）缓冲级，以减小驱动器（qì）交叉（chā）导（dǎo）通。浮动通道可用（yòng）于驱动高边配置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作（zuò）电（diàn）压可高达200V。

产（chǎn）品特性

为自举（jǔ）操（cāo）作设计的浮（fú）动通道

完全运（yùn）行时（shí）电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱动电源范围从（cóng） 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱动电（diàn）流：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉导通逻辑

两通道间匹配传输（shū）延迟

输出信号与输入信号（hào）同相（xiàng）

通过无铅认证