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SLM2003S

200V低压驱动（dòng）芯片

样片申请

SLM2003S Datasheet.

产品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产（chǎn）品概述

SLM2003S 是一（yī）款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用（yòng）专有的高压集成电路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的（de）单芯（xīn）片（piàn）驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动（dòng）器（qì）具有高脉冲电流缓冲级，以减（jiǎn）小驱动器（qì）交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操作设（shè）计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范（fàn）围从 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱（qū）动电（diàn）流：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉导（dǎo）通逻辑

两通道（dào）间（jiān）匹配传输延（yán）迟

通过（guò）无铅（qiān）认证

提供（gòng） SOP-8 封装选项