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SLM2003E

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003E Datasheet

产品（pǐn）概（gài）述

产（chǎn）品（pǐn）特性

安规认证

典型应用（yòng）图

产品概述

SLM2003E 是一款高压、高（gāo）速（sù）的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专有的高压（yā）集成电路和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供（gòng）可（kě）靠的单芯（xīn）片（piàn）驱动方案。逻辑输（shū）入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器具有高（gāo）脉冲电流缓冲级，以减小驱（qū）动器交（jiāo）叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置（zhì）的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高（gāo）达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操作设计（jì）的浮动通道

完全运行时电（diàn）压高达 200V

容（róng）许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从（cóng） 10V 到 18V

欠（qiàn）压（yā）闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输（shū）入兼容

驱动电流（liú）：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻（luó）辑

两（liǎng）通（tōng）道间匹配传输延迟

输出（chū）信号与输入信号（hào）同（tóng）相（xiàng）

通过无铅（qiān）认证